광운대학교 전자재료공학과 하태준 교수 연구팀(김은하, 김채은)은 제31회 한국반도체학술대회 에서 ‘Solution-Processed Metal-Oxide Thin-Film Transistors Fabricated at Low Temperatures by Metal Ion Doping’에 대한 연구 주제로 포스터를 발표하여 현장 우수 포스터로 선정됐다. 

연구팀은 IGZO에 Tin을 도핑한 IGZTO를 활성층으로 갖는 Oxide-TFT를 제작하여 기존 IGZO-TFT 대비 소자 성능을 확인하고 공정 레시피를 최적화하였다. 본 연구를 통해 디스플레이 Backplane용 Oxide-TFT의 응용 연구에 기여함으로써 그 우수성을 인정받았다. 

한편, 본 연구팀(박세룡)은 이번 반도체 학술대회 외에도, 제30회 한국 반도체 학술대회(KCS2023)에서 'Low-Voltage Operating Resistive Random Access Memory Consisting of Solution-Processed High-k Metal-Oxide Dielectrics 기반 연구 주제로 포스터를 발표하여 현장 우수 포스터로 선정됐다. 

올해 31회를 맞은 한국 반도체 학술대회는 반도체 분야의 글로벌 기업인 삼성전자, SK하이닉스, DB하이텍을 포함해 국내 3000명 이상의 반도체 관련 분야의 산·학·연 전문가들이 참여하는 국내 반도체 분야 최대규모 학술대회이며 하태준 교수는 본 학회에서 MEMS & 센서 분과위원을 맡고 있다. 

방완재 다른기사 보기