과학기술부(부총리 겸 장관 김우식)와 한국과학재단(이사장 권오갑)은 실용적인 고집적.고성능 3차원 나노 CMOS 소자를 세계 최초로 개발한 공로로 이종호 경북대 교수를 이달의 과학기술자상 10월 수상자로 선정했다. 그간 이 교수는 과기부의 지원을 받는 21세기프론티어연구개발사업에서 나노 CMOS 소자 연구를 수행해왔다.

3차원 나노 CMOS 소자는 실리콘 반도체를 기반으로 한 나노 크기의 전자소자로 소자의 핵심 부분이 3차원 구조로 되어 있는 차세대 소자로 알려져 있다.

기존의 평탄채널 구조를 갖는 CMOS 소자의 축소화에 따른 많은 문제를 보여왔다. 이를 해결하기 위해 미국 캘리포니아 버클리대를 중심으로 유수 기업에서 SOI 기판에 물고기 지느러미 형태를 닮은 FinFET이란 3차원 구조의 소자(이하 SOI FinFET)를 집적도가 우수한 소자로 발표하였으나, SOI 기판이 갖는 높은 가격, 높은 결함 밀도, 낮은 열전도 특성 등이 문제가 돼 왔다. 이 교수팀은 SOI FinFET 구조의 우수성을 유지하면서 실용성과 용도를 확대하기 위해 낮은 가격의 벌크 기판에 3차원 CMOS 소자인 벌크 FinFET을 세계 최초로 개발 한 것이다.

이 교수팀은 지난 2003년에 40nm 벌크 FinFET을 개발했고, 개발한 소자가 산업체에서 유용하도록 하기 위해 이론적으로 3차원 구조가 갖는 특이성과 물리를 고려해 리모델링해 발표했다.

이 교수는 이 같은 연구결과를 전자소자 분야에서 세계 최정상 학회인 IEDM과 Symposium on VLSI Technology에 발표함으로써 그 우수성을 인정받았고, 관련 기업에서 세미나를 통해 관련 기술을 전수하기도 했다.

3차원 나노소자인 벌크 FinFET의 개발은 실용성, 진보성 및 독창성에서 기존의 기술을 한 단계 발전시킨 것으로 판단된다. 현재 관련 기업에서 많은 연구를 수행하고 있으며, 로직 및 각종 메모리 기술에 적용 가능하여 그 연구가 점차 증가하고 있다.

허영수 기자 다른기사 보기