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한양대, ‘H3 연구센터’ 과기부 혁신연구센터 최종 선정
한양대, ‘H3 연구센터’ 과기부 혁신연구센터 최종 선정
  • 최승우
  • 승인 2023.09.25 16:10
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H3 한계극복 반도체기술 연구센터, ‘반도체‧디스플레이’부문에 선정
10년간 연 50억 연구비 수주…반도체 성능 1천배 개선 목표

 

안진호 한양대 교수

한양대 H3(극한 스케일-극한 물성-이종 집적) 한계 극복 반도체 기술 연구 센터(센터장 안진호)가 과학기술정보통신부의 선도연구센터지원사업 혁신연구센터(IRC)로 최종 선정됐다. 올해부터 10년 동안 연 50억 원의 연구비를 지원받는다. 

과기부 ‘선도연구센터지원사업’은 기초연구를 대표하는 집단연구사업이다. 1990년부터 이학분야(SRC), 공학분야(ERC) 지원을 시작으로 현재까지 33년간 총 434개 센터에 2조 9천148억 원을 지원해왔다.

‘혁신연구센터(IRC)’는 12대 국가전략기술 분야와 관련해 대학의 특성화 분야 연구역량과 인적자원을 지속 가능한 연구기관 체계로 집적해 ‘세계적 수준의 연구 거점’ 구축을 목적으로 한다. 2023년에 처음 도입됐다. 

이번 혁신연구센터사업 선정에는 21개 센터가 본 평가에 올랐다. 한양대 컨소시엄인 H3 연구센터를 포함한 3개의 센터만이 최종 선정됐다. H3 연구센터는 12대 국가전략기술 분야 중 ‘반도체‧디스플레이’부문에 선정됐다.

카이스트와 포스텍, 연세대, 고려대가 함께 하는 혁신연구센터에는 정부 예산 이외에도 대학으로부터 약 160억 원, 협력기업으로부터 100억 원 이상의 재원이 투입된다.

한양대는 12대 국가전략기술 분야의 임무 중심 R&D 역량 강화 및 인재 양성을 위한 대학의 역할을 강화하고, 100개 이상의 회원사와 동반 성장해 지속 가능하고 세계적인 수준의 ‘반도체 연구거점 및 산‧학‧연 협력 체계’를 구축할 예정이다. 

H3 연구센터는 반도체 초미세공정의 핵심인 EUV 노광기술과 원자층 공정, 고성능 소자구조의 핵심 IP 및 이종집적 통합설계, 첨단 패키징 핵심기술을 유기적으로 개발함으로써 저전력∙고성능 인공지능 반도체의 국가 경쟁력을 확보하는 데 기여할 것으로 기대된다. 

안진호 H3 연구센터장은 “이번 사업 선정으로 한양대가 대한민국 반도체 초격차 기술 확보에 크게 기여할 것”이라며 “10년 내 반도체 성능 1천배 개선을 목표로 연구하겠다”라고 포부를 밝혔다.

최승우 기자 editor@kyosu.net


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