POSTECH 물리학과 이길호, 이후종 교수, 박사과정 박건형씨 연구팀은 양자얽힘*1을 유도하기 위해 겹층그래핀을 육방정계질화붕소(hBN) 결정막으로 보호하여 그래핀에서 무질서하게 산란되는 전자를 최소화했다. 또한, 겹층그래핀을 수직으로 쌓고, 이 두 개의 겹층그래핀 가장자리를 초전도물질로 연결한 양자얽힘 소자를 제작하는 데 성공했다. 이 연구성과는 미국화학회 국제학술지 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 최신호를 통해 발표됐다.
지금까지 양자얽힘을 유도하기 위해 여러 종류의 물리적 구조를 이용하는 연구들이 진행됐다. 
연구팀은 그래핀이 탄소로 이루어진 현존하는 가장 얇은 도체이면서 구리나 실리콘보다 수백 배 더 전자를 잘 이동시키는 점에 주목했다. 겹층그래핀 사이의 간격을 초전도 결맞음*2 길이보다 훨씬 얇게 하고 겹층그래핀의 특이한 밴드구조를 이용해 양자얽힘 현상과 함께 일어나는 부수 현상들을 효과적으로 차단하여 순수한 양자얽힘 효율을 획기적으로 향상했다.
2차원 물질을 수직으로 쌓아 다양한 기능성을 실현하는 소자 개발이 경쟁적으로 이루어지고 있는 가운데, 이번 연구는 2차원 물질인 겹층그래핀과 초전도를 결합시켜 기존 초전도 전자쌍의 양자얽힘 효율을 향상시켰다는 점에서 중요하다. 연구팀은 수년에 걸쳐 학계에서 관심을 받았던 그래핀과 초전도를 접합시킨 조셉슨 접합*3에 대한 연구로도 국제적인 주목을 받았으며 이는 이번 연구의 근간이 되었다.
이후종 교수는 “이번 연구성과는 앞으로 그래핀을 포함한 2차원물질을 이용한 양자얽힘 등 양자 소자 개발에 새로운 활로를 열 것으로 기대된다”고 밝혔다.
이번 연구는 한국연구재단의 선도연구센터지원사업과 삼성미래기술육성재단의 지원으로 수행됐다.

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